感應(yīng)加熱設(shè)備中IGBT中頻設(shè)備的快速發(fā)展是由于其換相率遠(yuǎn)高于中頻電容式。其次，當(dāng)感應(yīng)加熱過(guò)程中磁導(dǎo)率和電阻率發(fā)生變化時(shí)，負(fù)載變化彎管會(huì)自動(dòng)改變頻率，使變頻器始終工作在諧振狀態(tài)，工作在印刷狀態(tài)，不像中頻電容式需要增加電容來(lái)維持工作狀態(tài)；此外，它還具有體積小、節(jié)省材料、占地面積小、噪音低、安裝簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，因此有取代中頻電容式的趨勢(shì)。

感應(yīng)加熱設(shè)備IGBT中頻設(shè)備的頻率范圍也比中頻電容式寬。頻率越低，變頻越容易，超過(guò)10Hz就越難。低頻200-500Hz，高頻可達(dá)20-50kHz。為了填補(bǔ)10~100kHz頻率的空白，提供高效率的變?nèi)荻�極管，各國(guó)都在進(jìn)行研究。1973年，法國(guó)首次研制出50kHz25kW的IGBT逆變器，中國(guó)Xi安電爐研究所最近研制出頻率30-50kHz、功率100-60kW的IGBT逆變器，為四化作出了貢獻(xiàn)。

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