因熔煉爐的中頻容量較大，平均充電電壓可達(dá)電源電壓U，因此在分析時(shí)，可將其看作一種直流電源。在IGBT導(dǎo)通下，通過(guò)感應(yīng)負(fù)載，充電電流fc逐漸增加。這一方面造成了RH的損耗，另一方面使得CF的電場(chǎng)能量中的磁場(chǎng)能量增加。充電到電源電壓時(shí)，達(dá)。

在熔化爐中頻的磁場(chǎng)能量釋放，使電流保持原定方向，并繼續(xù)充電，直至磁場(chǎng)能量消失減少至零，C處電壓高于電源電壓，稱為振蕩過(guò)充電。此時(shí)，在負(fù)載上流過(guò)半個(gè)周渡電流，其波形近似為正弦波。隨后，換向電容，開始放電，反向并聯(lián)=極管，導(dǎo)通，負(fù)載通過(guò)反向電流。當(dāng)放電電流增大、C端電壓降低時(shí)，電位上逐漸積存磁場(chǎng)能量。在放電到電源電壓值時(shí)，選擇放電電流。隨后，電感內(nèi)的磁場(chǎng)能使放電過(guò)程繼續(xù)，直到磁能消失，放電電流為零，這一過(guò)程形成電流的反向半波。

二極管導(dǎo)通過(guò)程中，即負(fù)載電流負(fù)半波期間，IGBT的反向電壓數(shù)值等于二極管正向壓降，以保證晶閘管恢復(fù)受阻。