發(fā)布時間:2020-11-23 已經(jīng)有1人查過此文章 返回感應熔煉列表
佛山市海拓中頻熔煉爐中頻感應加熱電源采用與G22×13配套的塑膠成型支架,先繞組,后繞組,兩組采用雙線并繞2×35壓片,兩組及兩組之間用0.05mm的聚酯薄膜隔熱。外包兩層聚酯薄膜。同位素末端應有明顯的標記,用于浸染和干燥。
佛山市中頻熔煉爐用高功率半導體器件對溫度的敏感度很大,例如:IGBT額定電流在25℃標稱,而當環(huán)境溫度為80℃時,允許工作電流降至25℃標稱電流的50%。ER加熱電源主要采用輸入整流橋模塊和逆變開關器件IGBT,由于它是產(chǎn)生熱源的器件,溫度升高不僅會降低加熱電源的可靠性,而且還會導致功率器件性能惡化,失效,使電源平均無故障工作時間縮短,因此,必須為功率器件創(chuàng)造良好的散熱條件,以提高加熱電源的可靠性。
在中頻熔煉爐電磁感應加熱電源的設計中,功率半導體器件的散熱設計也成為一個必不可少的重要課題。在高頻狀態(tài)下,功率器件開機、關斷和穩(wěn)態(tài)狀態(tài)下的開關損耗和導通損耗產(chǎn)生的熱量積聚是引起器件結(jié)溫升高的主要原因,為了限制熱積聚導致半導體功率器件結(jié)溫超過允許結(jié)溫,使功率器件在安全結(jié)溫下可靠工作,必須解決功率器件散熱問題,降低結(jié)溫。除采用優(yōu)良的變換控制技術和低損耗器件外,加強散熱也是解決半導體器件中溫升積累問題的重要措施。